Каталог товаров
- Главная
- Автозвук
- Усилители
- 4-канальные усилители
- Kicx ST 4.90
Kicx ST 4.90
Информация о доставке
Способ доставки
СДЭК
Рассчитываем стоимость доставки...
Boxberry
Рассчитываем стоимость доставки...
Деловые Линии
Рассчитываем стоимость доставки...
Вся Почта России
Рассчитываем стоимость доставки...
- Характеристики
- Обзор
- Отзывы0
Характеристики
GTIN | 2062095 |
Диапазон частот | 20 - 20000 Гц |
Акустические терминалы | 8/8,35 Ga/мм² |
ФНЧ / Крутизна спада | 50 - 250 Гц/дБ/окт |
Номинальная мощность — 4 oм | 90 × 4 Вт |
Номинальная мощность — 2 oм | 130 × 4 Вт |
Коэффициент гармоник | 0,1 % |
Отношение сигнал-шум | 90 дБ |
ФВЧ / Крутизна спада | 120 - 5000 Гц/дБ/окт |
Входы (rca) | 4 |
Чувствительность входа | 0,15 - 8 В |
Рабочее напряжение питания | 8,5 - 15 В |
Задержка включения | 2 сек |
Ток холостого хода | 0,6 А |
Силовые терминалы | 4/22,5 Ga/мм² |
Защита от перегрузки | Есть |
Индикатор защиты | Да |
Размер по высоте | 55 мм |
Размер по ширине | 211 мм |
Размер по длине | 372 мм |
Общий вес | 3030 г |
Разработано | Россия |
Страна производства | Китай |
Гарантийный срок | 12 месяцев |
Область применения широкополосный | да |
Номинальная мощность — мостовое подключение 4 oм | 280 × 2 Вт |
Встроенный эквалайзер, (bass boost) | 0/6/12 дБ/Гц |
Выход (rca) | 2 |
Выходное напряжение на линейных выходах | 0,15 - 8 В |
Класс | AB |
Модель | ST 4.90 |
Производитель | Kicx |
Количество каналов | 4 |
Комплектация | Усилитель, коробка, инструкция, гарантийный талон, саморезы для инсталляции, запасной набор предохранителей |
Предохранитель | 2 × 30 А |
Обзор
Купить Kicx ST 4.90 дёшево можно с доставкой или самовывозом.
Четырехканальный усилитель класса AB, модель ST 4.90, отлично подходит для работы с мощными акустическими системами или сабвуферами средней и малой мощности. Усилитель имеет встроенный кроссовер, оптимизированный для работы с эстрадной акустикой, BassBoost с шаговой регулировкой 0\6\12 dB. Сквозной канал для каскадного подключения нескольких усилителей. Построен на высокоэффективной структуре Mosfet.